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Пост● 랙 내부 800V DC의 두 가지 경로 (国金证券 작성, 출처 : NVIDIA)

9 сентября 2026
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● 랙 내부 800V DC의 두 가지 경로 (国金证券 작성, 출처 : NVIDIA) 도표 17. 랙 내부 800V의 2가지 경로 : Shelf 레벨에서 50V로 감압 vs Tray 레벨에서 12V로 직접 감압 저전압 대전류 경로가 짧을수록 시스템 손실은 감소하지만, 감압 폭(전압 강하 스팬)이 클수록 기술적 난이도는 높아짐. ○ 방안 1 : 과도기 솔루션, 먼저 50V로 감압 1) 전력 변환 흐름 800V DC 랙 입력 → 800V → 50V PSU → 50V 서버 진입 → 서버 내부 2차 전원(12V로 감압) : 12V 중간 전압 → 온보드 3차 전원(약 1V로 감압) : VRM/POL → GPU/ASIC 코어 부하 2) 특징 요약 기존 서버 전압 체계와의 호환성 유지 후속 2차/3차 감압 아키텍처 변경 폭이 작음 엔지니어링 리스크가 낮아 차세대 솔루션 성숙 전 과도기 적용에 적합 3) 장점 호환성 우수, 도입 난이도 낮음, 기존 서버 전원공급 생태계 재활용 가능, 고객사 검증 속도가 비교적 빠름 4) 해결해야 할 문제 여전히 PSU 단계 잔존, 전력 변환 단계 수가 다소 많음, 저전압 측 전송 경로가 여전히 김, 효율 최적화가 근본적이지 못함. ○ 방안 2 : 급진적 솔루션, Compute Tray 레벨 직하강 (직접 감압) 1) 전력 변환 흐름 800V DC 랙 입력 → 컴퓨트 트레이 레벨 고압 DC/DC (기존 PSU 생략) → 12V 또는 6V → 온보드 3차 전원(약 1V로 감압) : VRM/POL → GPU/ASIC 코어 부하 2) 특징 요약 저전압 대전류 경로 현저히 단축 고전압 전송 경로는 증가 3) 장점 PSU 단계 축소, 저전압 대전류 경로 단축, I²R 손실 감소, 서버 공간 확보, 시스템 효율 향상 4) 해결해야 할 문제 800V 직접 감압 폭이 매우 큼, 절연/안전규격/EMI 요구조건 엄격, 고압 DC/DC 기술 진입장벽 높음, 고객 플랫폼 협업 난이도 높음 5) 예상 스케줄 (고객사 검증 필요) Rubin Ultra 단계부터 도입 시작 예상, 2028년 전후 대량 양산 및 적용 속도 관찰 필요 ○ 급진적 솔루션, Compute Tray 레벨 직하강(직접 감압)의 세부 경로 1) A 경로 : 800V → 12V → 1V Rubin Ultra 관점에서 성공 확률이 비교적 높음 2) B 경로 : 800V → 50V → 6V → 1V 일부 중간 전압 계층을 유지하여 기술적 리스크 통제 용이 3) C 경로 : 800V → 6V → 1V 저압 측에 12V/6V 직접 감압을 채택할 경우, 고주파, 저전압 측의 GaN 사용량 증가 가능 ∴ GaN : 저전압 측 고주파, 고효율, 소형화 수혜 가능
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NNihil's view of data & information● 800V DC와 GaN 전력반도체 (国金证券 작성) 도표 25. 800V 랙 적용(인입)은 GaN 수요를 분명하게 높일 것 ○ 3단계 변환 경로 (800V → 48V → 12V/6V → Load/GPU) 1) 1단계 (DC-DC stage 1) : 800V → 48V 적용 소자 :
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