Пост● 800V DC와 GaN 전력반도체 (国金证券 작성)

● 800V DC와 GaN 전력반도체 (国金证券 작성) 도표 25. 800V 랙 적용(인입)은 GaN 수요를 분명하게 높일 것 ○ 3단계 변환 경로 (800V → 48V → 12V/6V → Load/GPU) 1) 1단계 (DC-DC stage 1) : 800V → 48V 적용 소자 : 650V 및 150V/100V GaN 현재 개발 상황 : 양산 출시 완료, 1MHz에 99% 효율 (1초에 100만번 초고속 스위칭하면서도, 전력 변환 과정 손실이 1%에 불과) 2) 1.5단계 (DC-DC Stage 1.5) : 48V → 12V or 6V 적용 소자 : 100V GaN 현재 개발 상황 : 양산 출시 완료, 97.7% 효율 3) 2단계 (DC-DC Stage 2) : 12V or 6V → 부하(Load)/GPU 적용 소자 : 30V/15V DrGaN (드라이버 통합형 GaN) 현재 개발 상황 : 컨셉 검증 완료, 개발 중 ○ 2단계 직접 감압 경로 (800V → 12V/6V → GPU) 1) 1단계 (DC-DC stage 1) : 800V → 12V/6V (48V 중간 단계 생략) 적용 소자 : 650V 및 40V/15V GaN 현재 개발 상황 : 양산 출시 완료, 1MHz에 98% 효율 (1초에 100만번 초고속 스위칭하면서도, 전력 변환 과정 손실이 2%에 불과) 3) 2단계 (DC-DC Stage 2) : 12V or 6V → GPU 적용 소자 : 30V/15V DrGaN (드라이버 통합형 GaN) 현재 개발 상황 : 컨셉 검증 완료, 개발 중